道康宁推出全新碳化硅(SiC)晶体分级结构

2014-05-13 14:33:11 来源:全球有机硅网

 全球有机硅及宽带隙半导体技术领先企业道康宁公司,日前推出全新碳化硅(SiC)晶体分级结构,为碳化硅晶体创立了行业新标准。新分级结构对相关致命性产品缺陷,如微管位错(MPD)、螺纹螺位错(TSD)、和基面位错(BPD)等,具有更严格的容忍度。
    这一开创性分级结构旨在优化使用道康宁高品质Prime Grade系列100 mm 碳化硅晶片设计和制造的新一代电力电子器件的设计自由度、性能和成本。道康宁公司目前向市场提供Prime Standard、Prime Select和Prime Ultra的三种不同品质的新型碳化硅衬底。
    “作为先进碳化硅材料技术的全球领先企业,道康宁公司认识到,宽带隙半导体技术在提供高品质产品的同时,更应着眼于赋予客户卓越的整体价值,”道康宁公司首席技术官Gregg Zank表示。
    “这种全新碳化硅晶体分级结构是道康宁公司为行业带来的又一项首创,完全契合我们的这种理念,它也是我们与全球电力电子器件领先制造商密切合作的成果,不同的选择有助于帮助他们以最优的成本,快速实现其不断发展和创新的设计目标。”
    道康宁公司新产品分级结构中的各个Prime Grade系列晶圆产品为缺陷密度及其他关键性能设置了更严格的公差范围,客户可以根据特定器件的应用要求,在硅片质量和价格之间获得最好的平衡。
     虽然已有不少碳化硅衬底制造商承诺要降低微管密度,但道康宁公司是首家对包括TSD及BPD在内的其它致命性缺陷公差作出明确定义的企业。这些缺陷会降低器件的成品率及生产效率,且会影响大面积、新一代电力电子器件制造的成本效益。
        

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